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Broadcom AFBR-S4N44P163 4x4 NUV-HD SiPM阵列的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-09-09

摘要: Broadcom AFBR-S4N44P163 4x4 NUV-HD硅光电倍增器(SiPM)是专为单光子的超灵敏精确计数而设计的。这种光电二极管具有很高的单片封装密度,这是通过硅通(TSV)技术实现的。AFBR-S4N44P163 4x4光...

Broadcom AFBR-S4N44P163 4x4 NUV-HD硅光电倍增器(SiPM)是专为单光子的超灵敏精确计数而设计的。这种光电二极管具有很高的单片封装密度,这是通过硅通(TSV)技术实现的。AFBR-S4N44P163 4x4光电二极管具有良好的增益均匀性和击穿电压均匀性(180mV (3 sigma))。这种光电二极管具有高度透明的玻璃保护层。AFBR-S4N44P163 4x4光电二极管工作在-20°C到50°C的温度范围。应用包括x射线和伽马射线检测,核医学,正电子发射断层摄影术,流式细胞术和天体物理学。


特性

  • 高PDE超过55%在420nm
  • 高填充因子
  • 出色的SPTR和CRT
  • 击穿电压均匀性好180mV (3 sigma)
  • 良好的增益均匀性
  • 采用TSV技术(4面贴片阵列)
  • 15.9 x15.9毫米(2)尺寸
  • 30×30μm(2)细胞间距
  • 高度透明的玻璃保护层
  • 工作温度范围:-20℃~ 50℃
  • 符合RoHS和REACH要求

应用程序

  • x射线和伽马射线探测
  • 伽马能谱
  • 安全与安全
  • 核医学
  • 正电子发射断层扫描
  • 生命科学
  • 流式细胞术
  • 荧光发光测量
  • 时间相关单光子计数
  • 高能物理
  • 天体物理学

单个SiPM元素的框图



典型的偏微分方程与波长


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