Broadcom AFBR-S4N44C013 4mm NUV-HD单SiPM(硅光电倍增管)专为单光子的超灵敏精密测量而设计。该光电倍增管提供3.72毫米x 3.72毫米的有效面积。采用透硅通孔(TSV)技术实现了单片机的高封装密度。拼接多个AFBR-S4N44C013阵列可以覆盖更大的区域，几乎没有任何边缘损耗。钝化层是由一种低至紫外波长高度透明的玻璃制成的。这导致在可见光谱中有广泛的响应，对蓝色和近紫外光谱的高灵敏度。

AFBR-S4N44C013 SiPM最适合探测低电平脉冲光源。这包括从最常见的有机(塑料)和无机闪烁体材料中检测切伦科夫光或闪烁光。AFBR-S4N44C013 SiPM无铅，符合RoHS和REACH要求。典型的应用包括x射线和伽马射线探测、伽马射线光谱学和核医学。

特性

• 420nm波长下的光检测效率(PDE)超过55%

• 高填充因子

• 优秀的单光子时间分辨率(SPTR)和CRT

• 180mV(3西格玛)击穿电压均匀性好

• 采用TSV技术的4面平铺

• 高度透明的玻璃保护层

• 良好的增益均匀性

• 符合RoHS和REACH要求

规范

• 420纳米光谱范围

• 击穿电压26.9 v

• 击穿电压温度系数26mV/K

• 照片检测效率:

• 43%(典型)测量3V以上击穿电压

• 55%(性能)在7V以上击穿

• 每单位120kcps/mm(2)(典型)暗计数率

• 3.88mm×3.88mm尺寸

• 30µm×30µm细胞

• 15060个微细胞

• 76%的微细胞填充因子

• 工作温度范围:-20°C ~ 50°C

应用程序

• x射线和伽马射线探测

• 谱学

• 安全与安全

• 核医学

• 正电子发射断层扫描

• 生命科学

• 流式细胞术

• 荧光发光测量

• 时间相关单光子计数

• 高能物理

• 物理实验

• 评估和原型

• 天体物理学

AFBR-S4N44C013方框图和回流焊图

焊盘布局和焊球几何形状