意法半导体MASTERGAN1和MASTERGAN2电源系统封装实现了一种高功率密度电源，在半桥结构中集成了一个栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成电源gan具有150毫欧的R(DS(ON))和650V漏源击穿电压。集成自举二极管可以快速地提供嵌入式门驱动的高侧。

STM MASTERGAN1和MASTERGAN2设备在下部和上部驱动部分提供UVLO保护。这种保护可以防止电源开关在低效率或危险的条件下工作，联锁功能可以避免交叉导电的情况。输入引脚的扩展范围可以方便地与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器进行接口。

MASTERGAN1和MASTERGAN2操作在工业温度范围-40°C至+125°C，并可在一个紧凑的9mm x 9mm QFN包。

特性

• 集成半桥栅驱动器和高压GaN晶体管的集成电源系统:

• BV (DSS) = 650 v

• R (DS ) = 150欧姆

• I(DS (MAX)) = 10

• 反向电流能力

• 零反向恢复损失

• 低侧和高侧的UVLO保护

• 内部自举二极管

• 联锁功能

• 用于关机功能的专用pin

• 精确的内部定时匹配

• 3.3V到15V兼容输入，带有滞后和下拉

• 超温保护

• 减少物料清单

• 非常紧凑和简化的布局

• 灵活、简单、快速的设计

应用程序

• 开关型电源

• 高压PFC、DC-DC和DC-AC变换器

• 充电器和适配器

• 不间断电源(UPS)系统

• 太阳能发电

框图