瑞萨Renesas HIP2210/HIP2211半桥驱动是100V, 3A源，4A sink，高频，半桥NMOS FET驱动。HIP2211具有标准的HI/LI输入，并与流行的Renesas桥接驱动程序(如HIP2101和ISL2111)兼容。HIP2210提供三电平PWM输入与可编程死区时间。

HIP2210/HIP2211半桥驱动具有6V到18V的宽广工作供电范围，集成了一个高侧自举二极管，支持驱动100V半桥应用中的高侧和低侧NMOS。该器件具有强大的3A源，4A sink驱动，具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配，使其成为高频开关应用的最佳选择。V(DD)和boot UVLO防止欠压操作。

HIP2210 PWM引脚提供了一个三电平输入，使用一个单引脚来控制高侧和低侧驱动器。PWM输入逻辑高时,打开高端桥场效应晶体管和下部场效应晶体管是关闭的,当输入逻辑低,下部桥梁打开场效应晶体管和高端场效应晶体管是关闭的,当输入电压在中层,高端和下部桥梁场效应晶体管关闭。PWM阈值水平成正比VREF销外部输入的参考电压,使PWM操作范围在2.7 v至5.5 v逻辑。

HIP2210可在一个10 Ld 4x4mm TDFN包。HIP2211有8 Ld SOIC、8 Ld 4x4mm DFN和10 Ld 4x4mm TDFN包。

特性

• HIP2211替换ISL2111和HIP2101 8 Ld SOIC, 8 Ld DFN和10 Ld TDFN包

• 115VDC自举供电最大电压支持100V在半桥上

• 用于NMOS场效应晶体管的3A源极和4A汇栅驱动器

• 快速传播延迟与匹配:15ns典型延迟;2ns典型匹配(HIP2211)

• 集成0.5欧姆典型自举二极管

• 宽6V至18V工作电压范围

• V(DD)和开机欠压锁定(UVLO)

• 鲁棒噪声容忍:输入端的宽滞后;HS引脚可耐受-10V的瞬态电流和50V/ns的转换速率

• hi2211: HI/LI输入3.3V逻辑兼容VDD电压容限

• 三电平PWM输入，逻辑阈值电平由外部VREF引脚设置，从2.7V到5.5V

• HIP2210:可编程死时间防止射穿;单电阻器从35ns到350ns可调

应用程序

• 电信半桥和全桥DC/DC转换器

• 三相无刷直流电机驱动;h桥汽车司机

• 双开关正向和主动钳位转换器

• 多相PWM DC/DC控制器

• d类放大器

典型的应用

HIP2210框图

HIP2211框图