安森美半导体NCD57200半桥栅驱动是一种高压栅驱动，具有一个非隔离的低侧栅驱动和一个电隔离的高或低侧栅驱动。该栅极驱动可以在半桥结构中直接驱动两个igbt。NCD57200栅极驱动提供了优化的输出级，提供了一种减少IGBT损耗的手段。高侧栅极驱动器的galvanic isolation用于工作在800V以下的igbt的大功率应用中，保证了可靠的开关。该门驱动包括两个独立的死区和互锁输入，精确的非对称UVLOs和短而匹配的传播延迟。典型的应用包括风扇，泵，家用电器，消费电子和一般用途半桥应用。

特性

• 1.9A / -2.3A高峰值电流输出

• 提高IGBT导通的低输出压降

• 无V(DD)/V(B)低状态

• 浮动通道自举操作高达800V

• CMTI可达50kV/s

• V(S)负摆至-800V可靠运行

• V(DD)和V(BS)供电范围可达20V

• 3.3V、5V、15V逻辑输入

• 高侧和低侧的不对称电压下闭锁阈值

• 90ns匹配的传播延迟

• 内置20ns最小脉宽滤波器(或输入噪声滤波器)

• 内置340ns死区时间和高、低输入联锁

• 输出与输入信号同相位

• 不含铅和卤素/BFR

• 通过无铅认证

应用程序

• 球迷

• 泵

• 家用电器

• 消费电子产品

• 通用的网格应用程序

框图

简化应用程序示意图