摘要: 德州仪器UCC21320-Q1隔离双通道栅极驱动器具有4A源和6A峰值sink电流。它们设计用于驱动功率mosfet、igbt和SiC mosfet高达5MHz,具有最佳的传播延迟和脉宽失真。输入端通过3.75kV(RMS)的基本隔离屏...
德州仪器UCC21320-Q1隔离双通道栅极驱动器具有4A源和6A峰值sink电流。它们设计用于驱动功率mosfet、igbt和SiC mosfet高达5MHz,具有最佳的传播延迟和脉宽失真。输入端通过3.75kV(RMS)的基本隔离屏障与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)最小值为100V/ns。德州仪器UCC21320-Q1两个副侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达1500V(DC)的工作电压。
每个驱动程序可以配置为两个低侧驱动程序,两个高侧驱动程序,或一个可编程死区时间(DT)的半桥驱动程序。一个禁用引脚同时关闭两个输出,允许正常运行时,保持开路或接地。作为一种故障安全措施,一次侧逻辑故障迫使两个输出都很低。每个设备接受高达25V的V(DD)电源电压。宽输入VCCI范围从3V到18V,使驱动器适合与模拟和数字控制器接口。所有电源电压引脚都有欠压锁定(UVLO)保护。具有所有这些先进的功能,UCC21320-Q1能够实现高效率、高功率密度和鲁棒性。
4A峰值源,6A峰值汇输出
3V到18V输入VCCI范围,与数字和模拟控制器接口
高达25V VDD输出驱动电源
切换参数
典型的传播延迟
最小脉冲宽度10ns
5ns最大延迟匹配
最大脉宽失真6ns
共模瞬态抗扰度(CMTI)大于100V/ns
双低侧、双高侧或半桥驱动通用能力
可编程重叠和死时间
宽阀体SOIC-14 (DWK)包
驱动器通道间距3.3mm
-40 ~ +125°C工作温度范围
浪涌抗扰度可达12.8千伏
隔离屏障寿命>40年
TTL和CMOS兼容输入
抑制小于5ns的输入脉冲和噪声瞬态
快速禁用功率排序
具备汽车应用资格
AEC-Q100符合以下要求
设备温度等级1
设备HBM ESD分类级别H2
Device CDM ESD分类等级为C6
HEV和BEV电池充电器
DC-DC和交直流电源中的隔离转换器
电机驱动和直流-交流太阳能逆变器
不间断电源(UPS)
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