英飞凌技术绝缘体上硅(SOI)栅极驱动芯片的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-09-01

摘要： 英飞凌绝缘体上硅(SOI)栅极驱动芯片是用于igbt和mosfet的移平高压栅极驱动芯片。SOI技术是一种高电压、电平转移技术，提供独特的、可测量的和一流的优势。这些包括集成自举二极管(BSD)和行业中最好的鲁棒性，以保护对负瞬态电压尖峰。...

英飞凌绝缘体上硅(SOI)栅极驱动芯片是用于igbt和mosfet的移平高压栅极驱动芯片。SOI技术是一种高电压、电平转移技术，提供独特的、可测量的和一流的优势。这些包括集成自举二极管(BSD)和行业中最好的鲁棒性，以保护对负瞬态电压尖峰。每个晶体管都被埋藏的二氧化硅隔离，这消除了导致闭锁的寄生双极晶体管。该技术还可以降低电平偏移功率损耗，从而使器件开关功率损耗最小化。先进的工艺允许单片高压和低压电路结构与技术增强的好处。

这些绝缘体上硅栅极驱动器包括2ED218x(高电流650V, 2.5A)半桥SOI栅极驱动器和2ED210x(低电流650V, 0.7A)半桥SOI栅极驱动器。这两种设备都包括DSO-8和DSO-14的两个包选项。

特性

英飞凌SOI技术的主要好处
- 对负瞬态电压的最佳抗扰性可防止不稳定运行和锁相，同时提高可靠性
- 低欧姆集成自举二极管(BSD)具有最低的反向恢复和正向损耗
- 提高效率、更快的切换、更低的温度和更高的可靠性
- 最低水平移位损失提高驾驶效率，允许灵活的住房设计
- 集成输入滤波器增强了抗噪声能力
- 每个电压设计等级提供200V、600V、650V和1200V的耐压电压，提供操作裕度