德州仪器LMG341xR050 GaN电源级集成驱动器和保护，使设计人员在电力电子系统中实现功率密度和效率的新水平。与硅mosfet相比，LMG341x固有的优势包括超低的输入和输出电容，零反向恢复以减少高达80%的开关损耗，以及低的开关节点振铃以减少EMI。这些优点使得像图腾柱PFC这样的密集而高效的拓扑成为可能。

LMG341xR050通过集成一组独特的特性，简化设计，最大化可靠性和优化任何电源的性能，提供了传统cascode GaN和独立GaN fet的智能替代方案。集成的栅极驱动器可以实现100V/ns切换，几乎零Vds振铃。这提供了小于100ns的电流限制响应，防止意外射穿事件的自I保护，过热关机防止热失控，系统接口信号提供自I监控能力。

特性

• TI GaN FET的可靠性符合应用中的硬开关加速应力曲线

• 实现高密度功率转换设计

• 与cascode或独立的GaN fet相比，优越的系统性能

• 低电感8mmx8mm QFN包易于设计和布局

• 可调驱动强度的开关性能和EMI控制

• 数字故障状态输出信号

• 只需要+12V非调节电源

• 集成门驱动器

• 共源电感为零

• MHz操作的20ns传播延迟

• 调整栅偏置电压以补偿门限变化，确保可靠的开关

• 25至100V/ns用户可调的回转率

• 强大的保护

• 不需要外部保护组件

• 过流保护，响应小于100ns

• 大于150V/ns杀伤率免疫

• 瞬态过电压的免疫力

• 超温保护

• 所有供电轨道上的电压过低锁定(UVLO)保护

• 强大的保护

• LMG3410R050:锁存过流保护

• LMG3411R050:逐周期过流保护

特性

• 高密度工业和消费电源

• 多级转换器

• 太阳能逆变器

• 工业马达驱动器

• 不间断电源

• 高压电池充电器

原理框图