英飞凌2ED218x高电流650V, 2.5A，半桥SOI门驱动器在DSO-8或DSO-14封装中提供了集成的自举二极管。2ED218x结合了高电流和高速，以典型的2.5A吸收和源电流驱动mosfet和igbt。

特性

• 工作电压(VS节点)高达+650V

• 负抗瞬态电压为100V

• 集成超高速、低阻自举二极管，降低BOM成本

• 高电压和低电压引脚分离最大漏电和间隙

• 逻辑和电源地线分开

• 浮动通道设计自举操作

• 最大供电电压为25V

• 两个通道独立的低电压锁定(UVLO)

• 200 ns传播延迟

• 欣、林输入逻辑

• 逻辑运算高达-11V on VS引脚

• 输入-5V的负电压容限

• 浮动通道可用于驱动n通道MOSFET、SiC MOSFET或IGBT的高侧配置

应用程序

• 电机控制与驱动

• 轻型电动汽车(LEV)

• Multicopters和无人驾驶飞机

• 开关模式电源(SMPS)

• 不间断电源(UPS)

• 电动工具

• 服务机器人

• 家用电器

• LED照明

• 电动汽车充电

• 电池的形成

框图

典型的应用程序