摘要: 英飞凌2ED210x低电流650V半桥栅极驱动器在DSO-8或DSO-14封装中提供集成的自举二极管。2ed210低电流,0.7A驱动器是基于绝缘体上硅(SOI)技术。SOI-technology是一种高电压、水平移动技术,提供独特的、可测...
英飞凌2ED210x低电流650V半桥栅极驱动器在DSO-8或DSO-14封装中提供集成的自举二极管。2ed210低电流,0.7A驱动器是基于绝缘体上硅(SOI)技术。SOI-technology是一种高电压、水平移动技术,提供独特的、可测量的和一流的优势。这些包括集成自举二极管(BSD)和行业中最好的稳健性,以保护对负瞬态电压峰值。该技术还可以降低电平偏移功率损耗,从而使器件开关功率损耗最小化。先进的工艺允许单片高压和低压电路结构与技术增强的好处。
工作电压(VS节点)高达+650V
负抗瞬态电压为100V
集成超高速、低阻自举二极管,降低BOM成本
浮动通道设计自举操作
最大供电电压为25V
两个通道独立的低电压锁定(UVLO)
200 ns传播延迟
欣、林逻辑输入
逻辑运算高达-11V on VS引脚
输入-5V的负电压容限
浮动通道可用于驱动n通道MOSFET、SiC MOSFET或IGBT的高侧配置
电机控制与驱动
轻型电动汽车(LEV)
Multicopters和无人驾驶飞机
开关模式电源(SMPS)
不间断电源(UPS)
电动工具
服务机器人
家用电器
LED照明
电动汽车充电
电池的形成
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