摘要: 英飞凌技术WCDSC006半桥驱动器设计用于在半桥逆变器配置中驱动高侧和低侧mosfet。驱动程序可以驱动高侧MOSFET工作到60V的自举电压。高侧偏置电压是使用自举技术产生的。驱动器的输入端兼容TTL逻辑,无论VDD电压如何,都能承受高...
英飞凌技术WCDSC006半桥驱动器设计用于在半桥逆变器配置中驱动高侧和低侧mosfet。驱动程序可以驱动高侧MOSFET工作到60V的自举电压。高侧偏置电压是使用自举技术产生的。驱动器的输入端兼容TTL逻辑,无论VDD电压如何,都能承受高达7V的输入电压。尽管高侧和低侧功率设备是独立驱动的,但驱动程序强制5ns(典型值)的死区时间,以防止射穿。WCDSC006可用于PG-WSON-10引脚,带外露的衬垫,连接到地面,以帮助功耗。
独立的高、低端TTL逻辑输入
0.3 v到7V输入引脚能力,增强鲁棒性
综合自举二极管
最大自举电压60V
高侧和低侧驱动器的2A源/4A汇聚电流能力
感应无线充电器
符合Jedec标准
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