德州仪器UCC21732/UCC21732- q1单通道隔离栅极驱动器专为高达2121V(DC)工作电压的SiC mosfet和igbt设计，具有先进的保护功能，一流的动态性能和鲁棒性。UCC21732/UCC21732- q1具有±10A的峰值源和吸收电流。

UCC21732/UCC21732- q1包括最先进的保护功能，如快速过流和短路检测，分流电流传感支持，故障报告，和主动米勒钳。该器件还提供输入和输出侧电源UVLO，以优化SiC和IGBT开关行为和鲁棒性。

隔离的模拟PWM传感器允许更容易的温度或电压传感，进一步增加驱动器的通用性，并简化系统设计工作，尺寸和成本。UCC21732-Q1设备是AEC-Q100合格的汽车应用。

特性

• 5.7kV(RMS)单通道隔离栅驱动器

• SiC mosfet和igbt最高可达2121V(pk)

• 最大输出驱动电压(VDD-VEE)

• ±10A驱动强度和分流输出

• 150 v / ns最低CMTI

• 270ns响应时间快速过流保护

• 外动铣刀夹

• 故障发生时，内部2级关断

• 带有PWM输出的隔离模拟传感器
  

• 使用NTC、PTC或热二极管进行温度传感

• 高压直流或相电压

• 告警flon过流，从RST/EN复位

• Fast启用/禁用RST/EN的响应

• 抑制输入引脚上40ns的瞬态噪声和脉冲

• 12V VDD UVLO，电源接通

• 输入/输出过/欠冲瞬态电压抗扰度可达5V

• 130ns(最大)传播延迟和30ns(最大)脉冲/部分倾斜

• soic - 16dw封装，漏电，间隙8mm

• 工作结温度-40°C至+150°C

应用程序

• 电动汽车牵引逆变器

• 车载充电器和充电桩

• 用于HEV/EVs的DC/DC变换器

框图