IXYS 产品编号:IXYS Integrated Circuits IX4351NE;IGBT驱动器具有独立的9A源和汇聚输出，允许自定义开/关时序，同时最大限度地减少开关损耗。IX4351NE提供内部负电荷调节器，提供可选择的负极门驱动偏置，改善dV/dt免疫力和更快的关闭。

去饱和检测电路通过检测SiC MOSFET的过流状态并启动软关断来防止潜在的dV/dt事件。逻辑输入是TTL和CMOS兼容的;这个输入即使在负栅驱动偏置电压下也不需要电平移位。保护功能包括UVLO和热关闭检测。

IX4351NE采用热增强16针电源SOIC封装，额定工作温度范围为-40°C至+125°C。

特性

• 单独的9A峰值源和接收器输出

• 工作电压范围-10V ~ +25V

• 内部负电荷泵调节器，可选择负栅驱动偏置

• 带有软关闭下沉驱动器的去饱和检测

• TTL和CMOS兼容输入

• 欠压锁定(UVLO)

• 热关机

• 开路漏极故障输出

应用程序

• 驱动SiC mosfet和igbt

• 车载充电器和直流充电站

• 工业逆变器

• PFC、AC/DC和DC/DC变换器

框图

典型应用电路