ON Semiconductor NCP51820高速650V GaN HB驱动器是为满足离线应用中半桥拓扑驱动GaN电源开关的严格要求而设计的。它提供了短而匹配的传播延迟。先进的电平移技术为高侧栅驱动提供-3.5V到+650V(典型)共模电压范围工作，为低侧栅驱动提供-3.5V到+3.5V共模电压范围工作。最新一代共模噪声消除技术为两个驱动器输出级提供了稳定运行的200 V/ns dV/dt额定值。

特性

• 650V，高低侧驱动

• 典型的1A, 2A源/汇电流

• 1ns起落时间

• 至少100V/ns dV/dt免疫

• 栅调节驱动幅度

• NCP51820A: 5.2 v

• NCP51820B: 4.4 v

• 独立的UVLO保护高和低侧驱动器

• 分离驱动输出级

• SW和PGND可以承受3.5V以下的负电压瞬变

• 最大传播延迟50ns

• 射穿预防，可调节死区时间，TSD

• MLP-20L 4 mmx4mm包

• 使ultra-high-density设计

• GaN的高效切换，获得超高效率

• 运行可靠

• AC/DC设计的设计余量

• 适用于高频操作

• 提高效率并允许并行

• 用于高开关频率应用的稳健设计

• 允许控制上升和下降时间EMI调谐

• 优化驱动GaN电源开关，简化设计

• PCB占地面积小，减少寄生，适合高频工作

应用程序

• 谐振转换器

• 半桥和全桥转换器

• 有源箝位反激变换器

• 图腾柱无桥式PFC

• OLED电视电源

• 大功率游戏适配器

• USD PD手机和笔记本旅行适配器

• 服务器/云数据中心离线供电

• 工业变频器和电机驱动

框图