安森美半导体的NCV51705高速低侧SiC MOSFET驱动被设计为在接通和关断期间提供高峰值电流，最大限度地减少开关损耗。为了提高可靠性、dV/dt抗冲击能力和更快的关闭速度，NCV51705可以利用其车载电荷泵生成用户可选择的负压导轨。对于隔离应用，NCV51705还提供外部可访问的5V轨道，为数字或高速光电隔离器的二次侧供电。NCV51705还提供了重要的保护功能，如欠压锁定监测偏置电源。

ON Semiconductor NCV51705 SiC MOSFET驱动器采用24引脚四轴扁平无头(QFN)封装，符合AEC-Q100规格的汽车认证，温度范围为1级。

特性

• AEC-Q100有汽车应用资格

• 高峰值输出电流，分流输出级，允许独立的开关调节

• 源能力:6

• 水槽能力:6

• 扩展的正电压额定值高达28V, SiC MOSFET在导电期间的高效操作

• 可调板载调节电荷泵(-3.3V至-8V)

• 负电压驱动快速关闭

• 内置负电荷泵

• 数字振荡器电源可访问的5V参考/偏置导轨

• 可调欠压锁定

• 快速减饱和函数

• 500kHz工作频率(f(SW))

• 工作环境温度(T(A))

• 小而低寄生电感QFN-24封装，可湿面

应用程序

• 汽车逆变器，变频器和电机驱动器

• 牵引逆变器

• 大功率直流-直流转换器

• 高功率功率因数校正

框图

典型应用电路

销名称