东芝Toshiba TCR2EE/TCR2EF/TCR3DG/TCR4DG CMOS Low Dropout Regulators的特点是低压降、低输出噪声电压和快速负载瞬态响应。这些互补的金属氧化物半导体稳压器输出电压在1.0V到5.0V之间，能够驱动高达200mA。TCR2EE/TCr2EF/TCR3DG/TCR4DG还具有过流保护，自动放电功能。稳压器是敏感电源如模拟和射频应用的理想选择。

规范

• TCR2EF / TCR2EE

• V(DO) = 150mV (typ.) 3.0V输出，I(OUT) = 150mA

• V(DO) = 180mV (typ.)在2.5V输出时，I(OUT) = 150mA

• V(DO) = 230mV (typ.)在1.8V输出，I(OUT) = 150mA

• V(DO) = 380mV (typ.)在1.2V输出，I(OUT) = 150mA

• V(DO) = 510mV (typ.)在1.0V输出，I(OUT) = 150mA

• 较低的压差

• TCR2EF / TCR2EE

• V(OUT) = 1.0V至5.0V

• 高V(OUT)精度±1.0% (1.8V = V(OUT))

• 在2.5V输出时，I(OUT) = 10mA, f = 1kHz

• I(B) = 35µ(typ。)I马 = 0

• ⊿V  =±60 mV (typ。)I = 1 mA⇔150 mA, C  = 1.0µF)

• V(没有)= 35µVrms (typ) 2.5 V输出,I马 = 10,10 hz <f <100千赫)

• 低输出噪声电压

• 快速负载瞬态响应

• 低静态偏置电流

• 高纹波抑制比

• 输出电压范围宽

• TCR3DG / TCR4DG

• 在2.5 v输出时，I(OUT) = 10mA, f =1kHz

• V(NO) = 38μVrms (Typ.)在2.5V输出，I(OUT) = 10mA, 10Hz <= f <= 100kHz

• 低输出噪声电压

• 高纹波抑制

• TCR3DG

• ⊿V  =±80 mv (Typ。)I = 1⇔300 ma, C  = 1.0μF

• v - v (OUT) = 160mV (Typ.) at 3.2 v output, I(OUT) = 300mA

• 较低的压差

• 快速负载瞬态响应

• TCR4DG

• ⊿V  =±115 mv (typ。)I = 1⇔420 ma, C  = 1.0μF

• V(DO) = 193mV (typ.)在3.3V输出，I(OUT) = 420mA

• 较低的压差

• 快速负载瞬态响应

特性

• 过电流保护

• 全自动放电功能

• 控制与GND之间的下拉连接

• 可以使用陶瓷电容(C  = 0.1µF、C  = 1.0µF)

TCR2EE / TCR2EF应用电路

TCR3DG / TCR4DG应用电路