STMicroelectronics STDRIVE601三重半桥栅驱动器是采用BCD6s离线技术制造的高压器件。该器件是一个带有三个半桥栅驱动的单芯片，适用于三相应用的n通道功率mosfet或igbt。所有器件输出分别可以sink和source 350mA和200mA。联锁和死区功能保证了防止交叉导电。该设备有专门的输入引脚为每个输出和关机引脚。逻辑输入是CMOS/TTL兼容，低至3.3V，便于与控制设备接口。低侧和高侧截面之间的匹配延迟保证了没有周期畸变，并允许高频运行。

STDRIVE601嵌入了一个具有高级SmartSD功能的比较器，该功能也集成到设备中，确保对过流、过温等故障事件进行快速有效的保护。在低侧和每个高侧驱动部分都有专用的UVLO保护，防止电源开关在低效率或危险条件下工作。集成自举二极管，以及集成电路的所有集成特性，使应用PCB设计更容易。这些特点也使它更加紧凑和简单，从而减少了整体的材料清单。

特性

• 高电压导轨高达600V

• 驱动电流的能力

• 200mA源电流@ 25°C

• 350mA汇聚电流@ 25°C

• STDRIVE601

• dV/dt瞬态免疫±50V/ns

• 栅极驱动电压范围从9V到20V

• 总输入输出传播延迟:85ns

• 所有信道的匹配传播延迟

• 3.3V, 5V TTL/CMOS输入带迟滞

• 综合自举二极管

• 比较器用于快速过流保护

• 智能关机功能

• 联锁和死区功能

• 专门让销

• UVLO功能在高低两侧

应用程序

• 三相马达驱动器

• 逆变器

框图