德州仪器LM66100±6V低I (Q)理想二极管提供集成单输入单输出(SISO)，非常适合各种应用。LM66100集成了一个p通道MOSFET，可以在1.5V到5.5V的输入电压范围内工作，可以支持最大1.5A的连续电流。

两个LM66100低I(Q)理想二极管可用于类似双二极管环形实现的环形配置。这种配置允许LM66100通过最高的输入电压到输出，同时阻断反向电流流入输入电源。LM66100理想二极管可以比较输入和输出电压，确保反向电流通过内部电压比较器阻塞。

LM66100工作在结温度范围-40°C至125°C可在标准SC-70包。

特性

• 工作电压范围宽:1.5V - 5.5V

• V(IN)反向电压关断:-6V绝对最大值

• 最大连续电流(IMAX): 1.5A

• 导通电阻(R  ):

• 5V V(IN) = 79毫欧(典型)

• 3.6V V(IN) = 91毫欧(典型)

• 1.8V V(IN) = 141毫欧(典型)

• 比较芯片使能(CE)

• 通道状态指示(ST)

• 低电流消耗:

• 3.6V V(IN)关机电流(I(SD，)V(IN)): 120nA(典型)

• 静态电流(I(Q)， V(IN)): 150nA(典型)

应用程序

• 智能电表

• 楼宇自动化

• 全球定位系统(GPS)和跟踪

• 主电池和备用电池

功能图

TI参考设计库

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