摘要: 亚德诺半导体ADUM4138 IGBT门驱动包括一个隔离反激控制器,允许简单的二次电压产生。ADUM4138集成过流检测,保护IGBT在饱和和/或过流事件。过流检测加上高速、两级关断功能,作为故障保护。该设备提供了一个低栅极电压检测电路,...
亚德诺半导体ADUM4138 IGBT门驱动包括一个隔离反激控制器,允许简单的二次电压产生。ADUM4138集成过流检测,保护IGBT在饱和和/或过流事件。过流检测加上高速、两级关断功能,作为故障保护。该设备提供了一个低栅极电压检测电路,如果栅极电压在允许的时间内(典型为12.8μs)没有上升到内部阈值,就会触发故障。显示栅极短路或其他原因的弱驱动的IGBT器件故障通过低压检测电路检测。
ADUM4138一次侧的串行外设接口(SPI)总线提供了温度传感二极管增益和偏置的现场编程。值被存储在位于设备的二次侧的电可擦可编程只读存储器(EEPROM)上。此外,编程可用于特定的VDD2电压、温度传感报告频率和过流消隐时间。ADUM4138强调了孤立的故障报告过流事件,远程温度过热事件,UVLO,热
关闭(TSD)和去饱和检测。
6A(典型)峰值驱动输出能力
内关断net,通电阻:1欧姆
内通pet,通电阻:1.2欧姆
2过流保护方法
稀释检测
分离发射极过流检测
米勒箝位输出与门感输入
孤立的错误输出
隔离温度传感器读数返回
传播延迟
上升:95 ns典型
下降:100 ns典型
最小脉冲宽度:74ns
工作结温度范围:-40℃~ +150℃
V(DD1)和V(DD2) UVLO
最小外部跟踪(漏电):8.3mm(待定)
安全和监管批准
5000V均方根1分钟每UL 1577
CSA组件验收通知
DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
VIORM = 849 V(峰值)(增强/基本)
具备汽车应用资格
MOSFET和IGBT栅驱动程序
光伏逆变器
马达驱动器
电力供应
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