德州仪器LMG1210 200V半桥MOSFET和氮化镓场效应晶体管(GaN FET)驱动器专为超高频和高效率应用而设计。该器件具有可调死区时间能力，非常小的传播延迟，3.4ns高边低边匹配，以优化系统效率的应用是理想的。LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器提供了内部LDO，无论电源电压如何，都能确保5V的栅极驱动电压。

LMG1210允许用户选择最优的自举二极管来为高侧自举电容充电，从而在各种应用中获得最佳性能。当低侧关闭时，一个内部开关关闭自举二极管，以防止高侧自举过度充电和最大限度地减少反向恢复充电。通过氮化镓场效应晶体管的附加寄生电容被最小化到小于1pF，从而减少附加的开关损耗。LMG1210提供IIM (Independent input Mode)和PWM两种控制输入方式。独立输入模式允许每个输出由专用输入独立控制。PWM模式提供两个互补的输出信号，从单个输入产生，导致每个边缘的死区时间从0到20ns可调。LMG1210的工作温度范围很宽，从-40°C到125°C，采用低电感WQFN封装。

特性

• 高达50MHz的工作频率

• 典型的传播延迟

• 3.4ns高低侧匹配

• 最小脉冲宽度为4ns

• 两个控制输入选项

• 单路PWM输入，死区时间可调

• 独立的输入模式

• 1.5A峰值源电流和3A峰值汇聚电流

• 外部自举二极管的灵活性

• 内置LDO，适应电压轨

• 高300 v / ns CMTI

• HO到LO电容小于1pF

• UVLO和过温保护

• 小电感WQFN包

应用程序

• 高速直流-直流转换器

• 射频包络跟踪

• d类音频放大器

• e类无线充电

• 高精度运动控制

框图

TI参考设计库

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