安森美半导体NCV57001的高隔离电流IGBT栅驱动电路具有内部galvanic隔离设计，用于高功率应用中的高系统效率和可靠性。NCV57001提供的功能包括互补输入，开放漏管故障和准备输出，主动米勒钳，精确UVLOs, DESAT保护，和DESAT软关闭。

NCV57001允许输入侧的5V和3.3V信号和驱动器侧的宽偏置电压范围，包括负电压能力。该设备提供5kVrms (UL1577额定)电隔离和1200V(iorm)(工作电压)能力。NCV57001隔离大电流IGBT栅驱动器的包装，以满足加强安全绝缘要求。该设备采用宽体SOIC-16封装，保证输入输出之间的爬电距离为8mm。

特性

• IGBT Miller平台电压下的高电流输出(+4/-6A)

• 用于增强IGBT驱动的低输出阻抗

• 具有精确匹配的短传播延迟

• 主动铣床夹，防止假门打开

• 具有可编程延迟保护功能

• 对DESAT具有负电压(低至-9V)能力

• IGBT短路时软关

• 短路期间IGBT栅极箝位

• IGBT门主动下拉

• 严格的UVLO阈值的偏差灵活性

• 宽偏置电压范围，包括负ve2

• 3.3V ~ 5V输入电源电压

• 专为AEC-Q100认证

• 5000V电隔离(满足UL1577要求)

• 1200V工作电压(按VDE0884-10要求)

• 高瞬态免疫力

• 高电磁免疫力

• 无铅，无卤素，符合RoHS要求

应用程序

• 汽车电源

• 混合动力/电动汽车动力系统

• OBC

• BSG

• 电动汽车充电器

• PTC加热器

简化框图

简化应用程序示意图