安森美半导体的NCV57000隔离高电流IGBT栅驱动电路，具有内部galvanic隔离设计用于高功率应用中的高系统效率和可靠性。NCV57000具有强大的功能，包括补充输入，开放的排放故障，准备输出，主动铣刀夹，精确的UVLOs, DESAT保护，DESAT软关闭，分离高和低(出口和出口)驱动器输出，方便系统设计。它在输入端可容纳5V和3.3V信号，在驱动端可容纳宽偏置电压范围，包括负电压能力。IGBT提供5kV(rms) (UL1577额定)电流隔离和1200V(iorm)(工作电压)能力。NCV57000隔离大电流IGBT栅驱动器的包装，以满足加强安全绝缘要求。它采用宽体SOIC-16封装，保证输入和输出之间的爬电距离为8mm。

特性

• IGBT Miller平台电压下的高电流输出(+4/-6A)

• 用于增强IGBT驱动的低输出阻抗

• 具有精确匹配的短传播延迟

• 主动铣床夹，防止假门打开

• 具有可编程延迟保护功能

• 对DESAT具有负电压(低至-9V)能力

• IGBT短路时软关

• 短路期间IGBT栅极箝位

• IGBT栅极主动下拉

• 严格的UVLO阈值的偏差灵活性

• 偏置电压范围宽，包括负ve2

• 3.3V ~ 5V输入电源电压

• 专为AEC-Q100认证

• 5000V电隔离(满足UL1577要求)

• 1200V工作电压(根据VDE0884-11要求)

• 高瞬态免疫力

• 高电磁免疫力

• 无Pb、无卤素、符合RoHS要求

应用程序

• 汽车电源

• 混合动力/电动汽车动力系统

• OBC

• BSG

• 电动汽车充电器

• PTC加热器

简化框图

简化应用程序示意图