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安森美半导体NCD57000 & NCD57001高电流IGBT驱动器的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-08-19

摘要: 安森美NCD57000和NCD57001大电流IGBT驱动是带有内部电隔离的单通道IGBT栅驱动,设计用于高功率应用中的高系统效率和可靠性。NCD57000和NCD57001 IGBT驱动器具有互补输入,开路漏极故障和准备输出,主动米...


    安森美半导体的NCD57000和NCD57001大电流IGBT驱动是带有内部电隔离的单通道IGBT栅驱动,设计用于高功率应用中的高系统效率和可靠性。NCD57000和NCD57001 IGBT驱动器具有互补输入,开路漏极故障和准备输出,主动米勒钳,精确UVLOs, DESAT保护和DESAT软关断。此外,NCD57000 IGBT驱动提供单独的高和低(南和外)驱动输出,系统设计的灵活性和方便性。


    NCD57000和NCD57001在输入端均可容纳5.0V和3.3V信号,在驱动端有较宽的偏置电压范围,包括负电压能力。这些设备提供5kV(rms) (UL1577额定)电流隔离和1200V(iorm)(工作电压)能力。

    NCD57000和NCD57001 IGBT门驱动可用于宽体SOIC-16封装,保证输入和输出之间的爬电距离为8mm,以满足加强的安全绝缘要求。无Pb、无卤素、符合RoHS要求。


    特性

    • IGBT Miller平台电压下的高电流输出(+4/-6A)

    • 用于增强IGBT驱动的低输出阻抗

    • 具有精确匹配的短传播延迟

    • 主动铣床夹,防止假门打开

    • 具有可编程延迟保护功能

    • 单独的高和低(南和外)驱动器输出(仅NCD57000)

    • 对DESAT具有负电压(低至-9V)能力

    • IGBT短路时软关

    • 短路期间IGBT栅极箝位

    • IGBT栅极主动下拉

    • 严格的UVLO阈值的偏差灵活性

    • 偏置电压范围宽,包括负ve2

    • 3.3V ~ 5V输入电源电压

    • 专为AEC-Q100认证

    • 5000V电隔离(满足UL1577要求)

    • 1200V工作电压(根据VDE0884-11要求)

    • 高瞬态免疫力

    • 高电磁免疫力

    • SOIC-16 WB包

    • 无Pb、无卤素、符合RoHS要求


    应用程序

    • 太阳能逆变器

    • 电机控制

    • 焊接

    • 不间断电源(UPS)

    • 工业电源


    数据表

    • NCD57000

    • NCD57001


    框图



    简化的应用电路


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