STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-19

摘要： PWD5F60高密度功率驱动以双半桥结构将栅极驱动和四个n通道功率mosfet组合成一个单一的、紧凑的系统内封装(SiP)设备。集成的功率mosfet具有1.38欧姆的漏源极on电阻或RDS(on)和600V的漏源极击穿电压。集成自举二极管可...

PWD5F60高密度功率驱动以双半桥结构将栅极驱动和四个n通道功率mosfet组合成一个单一的、紧凑的系统内封装(SiP)设备。集成的功率mosfet具有1.38欧姆的漏源极on电阻或RDS(on)和600V的漏源极击穿电压。集成自举二极管可以很容易地提供嵌入式门驱动的高侧。PWD5F60电源驱动器的高集成度使空间受限的应用中能够实现高效的驱动负载。

PWD5F60接受电源电压(V(CC))，扩展到宽10V到20V范围，并包括低电压锁定(UVLO)保护在上下驱动部分，防止电源开关工作在低效率或危险的条件下。PWD5F60的扩展输入范围可以方便地与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器接口。PWD5F60还嵌入了两个未承诺比较器，以防止过流和过温。

该设备可在一个紧凑的15mm x 7mm x 1mm VFQFPN包。