摘要: Wurth Elektronik大功率辅助栅驱动变压器(WE-AGDT)具有EP7形状因子,并针对高达6W功率的高速SiC MOSFET栅驱动应用进行了优化。该系列具有非常高的共模瞬态抗扰度(CMTI),额定电压可达100V/ns, EMI...
Wurth Elektronik大功率辅助栅驱动变压器(WE-AGDT)具有EP7形状因子,并针对高达6W功率的高速SiC MOSFET栅驱动应用进行了优化。该系列具有非常高的共模瞬态抗扰度(CMTI),额定电压可达100V/ns, EMI性能更好。I们- agdt型EP7系列也满足基本隔离,根据61558-2-16和62368-1安全标准。单极和双极输出使这些变压器适合为最先进的SiC MOSFET栅驱动高达6W的功率以及IGBT和功率MOSFET供电。Wurth Elektronik大功率辅助栅驱动变压器采用一次侧调节反激拓扑结构,提供紧凑可靠的解决方案。
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