德州仪器TPL7407LA/TPL7407LA- q1 NMOS阵列低侧驱动器的介绍、特性、及应用 - 华强商城

电子元器件产业互联网平台

焦点资讯商城动态独家观点业界资讯行情分析

技术方案 DataSheet 传感器连接器

国内展会商城促销视频

原厂资讯原厂专区合作入驻

您所在的位置：首页 > 技术资料 > 技术方案 > 德州仪器TPL7407LA/TPL7407LA- q1 NMOS阵列低侧驱动器的介绍、特性、及应用

德州仪器TPL7407LA/TPL7407LA- q1 NMOS阵列低侧驱动器的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-16

摘要： 德州仪器TPL7407LA/TPL7407LA- q1 NMOS阵列低侧驱动器是一种高电压、高电流的NMOS晶体管阵列。该器件由7个NMOS晶体管组成，具有高压输出和用于开关感应负载的共阴极箝位二极管。单个NMOS通道的最大漏极电流额定为6...

德州仪器TPL7407LA/TPL7407LA- q1 NMOS阵列低侧驱动器是一种高电压、高电流的NMOS晶体管阵列。该器件由7个NMOS晶体管组成，具有高压输出和用于开关感应负载的共阴极箝位二极管。单个NMOS通道的最大漏极电流额定为600mA。新增的调节和驱动电路，赋予所有GPIO范围(1.8V-5V)的最大驱动强度。这些晶体管可以并联以获得更高的电流能力。TPL7407LA/TPL7407LA- q1的主要优点是它提高了功率效率，并比双极达林顿实现更低的泄漏。由于VOL较低，用户耗散的功率不到传统继电器驱动器的一半，电流低于250mA每通道。TPL7407LA-Q1器件是AEC-Q100合格的汽车应用。

特性

600mA额定漏极电流(每通道)
CMOS引脚对引脚改进的7通道达林顿阵列(如ULN2003A)
功率效率(极低V(OL))
- 小于达林顿阵列在100mA时V(OL)的4倍
极低输出漏电10 na /通道
环境温度范围扩大:
T(A) = -40°C到+125°C
高压输出30 v

兼容1.8V到5V单片机和逻辑接口
内置自由转动二极管，用于感应反冲保护
输入下拉电阻允许三状态输入驱动器
输入rc -缓冲器，以消除噪声环境中的虚假操作
感性负载驱动应用
防静电性能超过jessid 22
- 2kV HBM, 500V CDM

应用程序

电感负载
继电器
单极步进,刷直流电机
螺线管,阀门

发光二极管
逻辑电平变化
门,IGBT驱动

原理框图

TI参考设计库

TI参考设计库

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：Cosel BRFS DC-DC变换器的介绍、特性、及应用

下一篇：Microsemi / Microchip Power over Ethernet (PoE) PSE & PD ic的介绍、特性、及应用

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号经营许可证：粤B2-20210308