摘要: High Voltage High/ low side 2A Gate Drivers是用于n通道功率mosfet或igbt的单芯片半桥门驱动。这些高压器件采用BCD6“离线”技术制造。高侧(浮动)部分设计承受高达500V的直流电压轨和60...
该设备是具有可编程死区时间的单输入门驱动程序,并具有低关机引脚。L6494特别适用于中容量和高容量功率mosfet \ igbt。两个设备的输出都可以接收2.5A和源2A。独立的UVLO保护电路存在于下和上驱动部分,防止电源开关在低效率或危险的条件下操作。集成自举二极管和这些驱动器的所有集成特性使应用PCB设计更简单、更紧凑,减少了总体材料清单。
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