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Vishay MGDT微型栅驱动平面变压器的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-13

摘要： Vishay MGDT微型栅驱动平面变压器可用于表面安装或通孔端子，占用40%的板空间，比传统筒管和环形绕组技术的外形低33%。它们同时提供MOSFET和IGBT门电源和定时信号。这些变压器驱动总线上的mosfet / igbt高达1200...

Vishay MGDT微型栅驱动平面变压器可用于表面安装或通孔端子，占用40%的板空间，比传统筒管和环形绕组技术的外形低33%。它们同时提供MOSFET和IGBT门电源和定时信号。这些变压器驱动总线上的mosfet / igbt高达1200V，并设计为提供出色的上升时间、超调量和峰值电流特性。MGDT变压器在一个低轮廓平面包多波段操作。这些变压器提供8mm的最小漏电和间隙从驱动器到闸门。它们能承受高瞬态电压。这些MGDT变压器的LM和SM版本存在rohs投诉。MGDT变压器具有通孔和表面安装端子。这些音频和信号变压器工作在-55°C至125°C的温度范围内，并可以在-55°C至130°C存储。

特性

同时提供MOSFET/IGBT门电源和定时信号
在总线上直接驱动高侧mosfet / igbt，最高可达1200V
极好的上升时间、超调量和峰值电流特性

最小漏电距离为8mm，从驱动器到闸门的间隙为8mm
低轮廓平面封装
LF和SM版本均符合RoHS标准

规范

100 kHz至500 kHz工作频率范围
-55°C至125°C的连续工作温度范围

绝缘耐压
- 3750V(交流)驱动到栅极电压
- 2500V(AC)栅对栅电压

MGDT系列机械制图

微型化栅极驱动平面变压器信息图

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