达尔科技DGDx三相半桥栅驱动 以半桥结构驱动n通道mosfet和igbt。这些栅极驱动器结合了高压处理技术，允许高侧自举操作切换到100V / 600V。逻辑输入兼容标准TTL和CMOS电平，低至3.3V，便于接口。输出具有高脉冲电流缓冲器，设计用于最小的驱动器交叉传导。采用DGDx栅极驱动的二极管具有射穿保护逻辑，V欠压锁定 (CC)和过流保护。这些器件采用SO-28 (type TH)封装，工作温度范围为-40°C至+125°C。这些驱动器是为高压/高速应用而设计的。典型的应用包括三相电机逆变器驱动器和通用三相逆变器。

特性

• 3个浮动高侧驱动器自举运行至100V / 600V

• 输出耐受负瞬变，dV/dt免疫

• 输出电流能力:

• 200mA源/ 350mA汇(DGD0636和DGD2136)

• 350mA源/ 650mA汇(DGD23892)

• 3.3V逻辑输入能力

• 290ns保护mosfet的内部死区时间

• 所有信道的匹配传播延迟

• 输出与输入相位不一致

• 施密特触发了逻辑输入

• Cross-conduction预防逻辑

• 所有通道的欠压锁定

• 过流保护关闭驱动程序

• -40°C到+125°C的温度范围

• 无铅，符合RoHS要求

• 卤素和antimony-free

规范

• SO-28 (TH型)包

• 成型塑料，绿色成型复合外壳材料

• UL可燃性等级94V-0

• 3级，根据J-STD-020湿度敏感性

• 重0.250克(近似)

应用程序

• 三相电机逆变驱动

• 工业电机逆变器驱动器-电动工具和机器人

• 通用三相逆变器