罗姆半导体硅功率场效应管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-12

摘要： 罗姆半导体硅功率mosfet具有超快的开关速度和低导通电阻。mosfet可在一个广泛的阵容包，包括微型0604包，节省空间的设计。mosfet有一系列的驱动类型(0.9V到20V)，使它们适用于各种应用。单-查看产品列表双-查看产品列表MO...

罗姆半导体硅功率mosfet具有超快的开关速度和低导通电阻。mosfet可在一个广泛的阵容包，包括微型0604包，节省空间的设计。

mosfet有一系列的驱动类型(0.9V到20V)，使它们适用于各种应用。

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特性

单一的功能
- 漏源电压V(DSS):
  - -100 v, 800 v
- 漏极电流ID: -39A到+80A
- R(DS(on)) [O] V(GS)=Drive (Typ.):
  - 0.0018欧姆10欧姆
- 驱动电压:-4.5V到+15V
- 总门电荷:1.4nC到260nC
- 低导通电阻
- 转换速度快
- 简单的并行使用
- 无铅电镀
- 通过无铅认证
双功能
- 漏源电压VDSS:
  - -60 v + 100 v
- 漏极电流ID: -5.5A至+27A
- R(DS(on)) [O] V(GS)=Drive (Typ.):
  - 0.005欧姆10欧姆
- 驱动电压:-4.5V到+4.5V
- 总门电荷:1.4nC ~ 60nC

MOSFET +肖特基特性
- 漏源电压VDSS:
  - -45 v + 30 v
- 漏极电流ID: -2.4A到+2.5A
- R(DS(on)) [O] V(GS)=Drive (Typ.):
  - 0.11欧姆1欧姆
- 驱动电压:-4V到+2.5V
- 总门电荷:1.6nC到6.7nC

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