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Vishay DrMOS SiC6系列集成动力台的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-12

摘要： Vishay Semiconductor DrMOS SiC6集成功率级为同步降压应用进行了优化，以提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC6xx采用Vishay专有的5mm x 5mm MLP封装，使稳压器设计为每相提供高达60A的连续...

Vishay Semiconductor DrMOS SiC6集成功率级为同步降压应用进行了优化，以提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC6xx采用Vishay专有的5mm x 5mm MLP封装，使稳压器设计为每相提供高达60A的连续电流。内部功率mosfet采用Vishay最先进的Gen IV TrenchFET技术，提供行业基准性能，显著降低开关和传导损耗。

特性

SiC6xx集成了先进的MOSFET栅驱动IC
- 大电流驱动能力
- 自适应空时控制
- 集成自举肖特基二极管
- 温度警告(THWn)，警告系统结温过高
- 零电流检测，提高轻载效率
- 热增强PowerPAK MLP55-31L包
Vishay的Gen IV MOSFET技术和带有集成肖特基二极管的低侧MOSFET
提供高达60A的连续电流

95%的最高效率
高频操作高达2MHz
功率mosfet优化为19V输入级
3.3/5V PWM逻辑与三态和hold off
零电流检测控制，以提高轻载效率
低PWM传播延迟(<20ns)
热监控国旗
更快的禁用
V(CIN)欠电压锁定

应用程序

支持CPU、GPU和内存的多阶段vrd
英特尔IMVP-8 VRPower交付- VCORE、VGRAPHICS、VSYSTEM AGENT Skylake和Kabylake平台- VCCGI用于阿波罗湖平台
高达24V钢轨输入DC/DC VR模块

典型的应用程序图

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