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ROHM Semiconductor RRQ030P03HZG P-Channel Automotive MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-11

摘要： ROHM半导体RRQ030P03HZG p通道小信号MOSFET提供低导通电阻，并集成了一个内置G-S二极管。该MOSFET提供-30V漏极到源极电压(V(DSS))，±3A连续漏极电流(I(D))， 1.25W功耗(P(D))。RRQ03...

ROHM半导体RRQ030P03HZG p通道小信号MOSFET提供低导通电阻，并集成了一个内置G-S二极管。该MOSFET提供-30V漏极到源极电压(V(DSS))，±3A连续漏极电流(I(D))， 1.25W功耗(P(D))。RRQ030P03HZG MOSFET具有无铅铅电镀和AEC-Q101认证。这个MOSFET在一个小的TSMT6表面安装包，是理想的开关应用。

特性

低导通电阻
内置g二极管
TSMT6小表面安装包

无铅镀铅
通过无铅认证
AEC-Q101合格

规范

漏极-源极电压(V(DSS))
75毫欧最大静态漏源通态电阻(R(DS(on))
连续漏极电流(I(D))

功耗(P(D))
-55°C至150°C工作结温度范围

内部线路图

性能图表

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