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ROHM Semiconductor R6004PND3FRA 600V n通道汽车MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-11

摘要： ROHM半导体R6004PND3FRA 600V n通道汽车型MOSFET是一种低导通电阻MOSFET，具有快速开关速度。该MOSFET集成了简单的驱动电路，并且是AEC-Q101合格的。R6004PND3FRA MOSFET提供1.8欧姆漏...

ROHM半导体R6004PND3FRA 600V n通道汽车型MOSFET是一种低导通电阻MOSFET，具有快速开关速度。该MOSFET集成了简单的驱动电路，并且是AEC-Q101合格的。R6004PND3FRA MOSFET提供1.8欧姆漏源电阻(R(DS(on)))，±4A连续漏极电流(I(D))，和65W功耗(P(D))。这种MOSFET是理想的开关电源。

特性

低导通电阻
转换速度快
简单的驱动电路

无铅镀(Pb-free)
AEC-Q101合格
通过无铅认证

规范

600V漏源极电压(V(DSS))
1.8欧姆最大漏源电阻(R(DS(on))
±4A连续漏极电流(I(D)

功耗(P(D))
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
DPAK(- 252)包

性能图表

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