摘要: 罗姆半导体RSDTxxNSFH瞬变电压抑制(电视)保护敏感的电子设备免受激增低于3600 w (t (p) = 10/1000µs)。这些电压抑制器是单向和高度可靠的应用在汽车应用。RSDTxxNSFH抑制器为功率模型,具有高电流过载能力。...
罗姆半导体RSDTxxNSFH瞬变电压抑制(电视)保护敏感的电子设备免受激增低于3600 w (t (p) = 10/1000µs)。这些电压抑制器是单向和高度可靠的应用在汽车应用。RSDTxxNSFH抑制器为功率模型,具有高电流过载能力。这些电压抑制器采用硅外延平面结构,提供5W的功耗(P(D))。RSDTxxNSFH抑制器是理想的浪涌保护器件。
单向电压抑制
高可靠性用于汽车
AEC-Q101合格
权力模具类型
大电流过载能力
硅外延平面结构
防止激增低于3600 w (t (p) = 10/1000µs)
5W功耗(P(D))
RSDT27NSFH:
最大反向电压(V(RWM))
10µ反向电流(I (R)) V (R) = 22
RSDT30NSFH:
最大反向电压(V(RWM))
10µ反向电流(I (R)) V (R) = 22
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