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罗姆半导体RSDTxxNSFH瞬变电压抑制的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-08-11

摘要: 罗姆半导体RSDTxxNSFH瞬变电压抑制(电视)保护敏感的电子设备免受激增低于3600 w (t (p) = 10/1000µs)。这些电压抑制器是单向和高度可靠的应用在汽车应用。RSDTxxNSFH抑制器为功率模型,具有高电流过载能力。...


    罗姆半导体RSDTxxNSFH瞬变电压抑制(电视)保护敏感的电子设备免受激增低于3600 w (t (p) = 10/1000µs)。这些电压抑制器是单向和高度可靠的应用在汽车应用。RSDTxxNSFH抑制器为功率模型,具有高电流过载能力。这些电压抑制器采用硅外延平面结构,提供5W的功耗(P(D))。RSDTxxNSFH抑制器是理想的浪涌保护器件。


    特性

    • 单向电压抑制

    • 高可靠性用于汽车

    • AEC-Q101合格

    • 权力模具类型

    • 大电流过载能力

    • 硅外延平面结构


    规范

    • 防止激增低于3600 w (t (p) = 10/1000µs)

    • 5W功耗(P(D))

    • RSDT27NSFH:

      • 最大反向电压(V(RWM))

      • 10µ反向电流(I (R)) V (R) = 22

    • RSDT30NSFH:

      • 最大反向电压(V(RWM))

      • 10µ反向电流(I (R)) V (R) = 22


    内部线路图


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