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ON Semiconductor AFGY100/AFGY120T65SPD Field Stop Trench igbt的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-08-10

摘要: ON Semiconductor AFGY100T65SPD和AFGY120T65SPD Field Stop Trench igbt符合AEC-Q101标准,具有非常低的导通和开关损耗。这些特性允许在各种应用中高效运行,坚固的瞬态可靠性和...

ON Semiconductor AFGY100T65SPD和AFGY120T65SPD Field Stop Trench igbt符合AEC-Q101标准,具有非常低的导通和开关损耗。这些特性允许在各种应用中高效运行,坚固的瞬态可靠性和低电磁干扰。


On Semi AFGY100T65SPD和AFGY120T65SPD igbt具有出色的并行运行性能和均衡电流共享的优势。此外,AFGY100T65SPD和AFGY120T65SPD igbt参数分布紧凑,输入阻抗高,短路强度高。


特性

  • AEC-Q101合格
  • V(CE(Sat)) = 1.6V (Typ.) @ I(C) = 100A极低饱和电压
  • T(J) = 175°C最大结温
  • 正温度系数,便于并联操作
  • 严格的参数分布
  • 高输入阻抗
  • 100%的零件进行了I(LM)测试
  • 短路强度
  • 与软快速恢复二极管共封装

应用程序

  • 混合动力/电动汽车牵引逆变器
  • 辅助直流/交流转换器
  • 马达驱动器
  • 其他需要大功率开关的动力系统应用

应用程序示意图


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