安森美半导体NIV1x ESD抑制器/ TVS二极管设计用于保护高速数据线免受ESD以及对汽车电池的短路情况。这些二极管具有超低电容和低ESD箝位电压。当低R(DS(on)) FET限制信号线上的失真时，NIV1x二极管是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。这些二极管包括短路到电池阻塞和短路到usb V(总线)阻塞集成mosfet。NIV1x ESD suppressor工作在-55°C到150°C的温度范围内，30V漏极到源电压，±10V门极到源电压。这些二极管是理想的使用汽车高速信号对，USB 2.0，和低压差分信号(LVDS)。

特性

• 低电容

• 集成场效应管:
  

• 短路电池阻塞

• 短到USB V(总线)阻塞

• 可湿式侧翼优化自动光学检测装置(AOI)

• 合格，PPAP能力强

• 不含Pb、卤素/BFR，符合RoHS要求

• NIV前缀汽车和其他应用程序，需要独特的现场和控制变化的要求

规范

• NIV1161x:

• 0.65 pf电容

• 反向工作电压16V

• 1μA反向漏电流

• NIV1241:

• 0.66 pf电容

• 23.5V反向工作电压

• 0.5μA反向漏电流

• 工作和存储温度范围为-55℃~ 150℃

• 30V漏极到源极电压

• ±10V门源电压

应用程序

• 汽车高速信号对

• USB 2.0

• LVDS

位置回路