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Vishay SIR680LDP-T1-RE3 n通道MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-10

摘要： Vishay SIR680LDP-T1-RE3 n通道MOSFET是一款80V (D-S) TrenchFET Gen IV功率MOSFET。这种n沟道MOSFET具有非常低的R(DS) - Q(g)值(FOM)，并可调到最低的R(DS...

Vishay SIR680LDP-T1-RE3 n通道MOSFET是一款80V (D-S) TrenchFET Gen IV功率MOSFET。这种n沟道MOSFET具有非常低的R(DS) - Q(g)值(FOM)，并可调到最低的R(DS) - Q(oss) FOM。典型的应用包括同步整流，一次侧开关，DC/DC变换器，太阳能微逆变器，电机驱动开关，电池，负载开关，和工业。

特性

TrenchFET Gen IV功率MOSFET
非常低的R(DS) - Q(g) FOM

调优最低的R(DS) - Q(oss)的FOM
测试了100%的R(g)和ui

规范

80 V V (DS)
0.0028欧姆R (DS(上))最大。在V(GS)= 10 v
0.00355欧姆R (DS(上))最大。在V(GS)= 4.5 v

40.5数控问(g)(典型的)
130年I(D)
工作温度范围:-55°C ~ 150°C

应用程序

同步整流
一次侧开关
直流/直流转换器
太阳能micro-inverter

马达驱动开关
电池与负载开关
工业

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