罗姆半导体汽车用mosfet是内置G-S保护二极管的低通阻mosfet。这些mosfet提供-30V漏源到源极电压(V(DSS))和1W功耗(P(D))。RRR030P03HZG MOSFET提供±3A连续漏极电流(I(D))和RRR040P03HZG MOSFET提供±4A I(D)。这些mosfet符合AEC-Q101，并具有无铅镀层。该RRR0x0P03HZG mosfet可在一个TSMT3小表面安装包。这些mosfet适用于DC/DC变换器。

特性

• 低导通电阻

• 内置G-S保护二极管

• 无铅镀铅

• AEC-Q101合格

• 通过无铅认证

• 小型表面安装包(TSMT3)

规范

• 漏极-源极电压(V(DSS))

• 1W功耗(P(D))

• 工作温度范围:-55°C ~ 150°C

• RRR030P03HZG:

• 75毫欧最大静态漏源通态电阻(RD(S(on))

• 连续漏极电流(I(D))

• RRR040P03HZG:

• 最大静态漏源通态电阻(R(DS(on))

• ±4A连续漏极电流(I(D)

内部线路图

性能图表