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Vishay / Siliconix SiS890ADN n通道100V MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-10

摘要： Vishay / Siliconix SiS890ADN n通道100V MOSFET提供100V(DC)漏源极电压，40A脉冲漏极电流，单配置。SiS890ADN MOSFET具有非常低的R(DS) x Q(g)特征值(FOM)， Tre...

Vishay / Siliconix SiS890ADN n通道100V MOSFET提供100V(DC)漏源极电压，40A脉冲漏极电流，单配置。SiS890ADN MOSFET具有非常低的R(DS) x Q(g)特征值(FOM)， TrenchFET GEn IV功率，并100% R(g)和ui测试。Vishay SiS890ADN n通道100V MOSFET是同步整流，一次侧开关，DC/DC变换器和电路保护的理想选择。

特性

TrenchFET Gen IV功率MOSFET
低R(DS) xq (g)品质值(FOM)
调优最低的R(DS) x Q(oss) FOM

测试了100%的R(g)和ui
通过无铅认证
无卤素

应用程序

同步整流
一次侧开关
直流/直流转换器

马达驱动开关
电路保护
负荷开关

维

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