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Qorvo QPD0007 GaN RF晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-09

摘要： Qorvo QPD0007氮化镓射频晶体管是SiC高电子迁移率晶体管(HEMTs)上的单路径离散氮化镓晶体管，采用DFN封装。这些射频晶体管是单级的，无与伦比的晶体管，能够在+48V工作时输出20W的P(3dB)输出功率。QPD0007晶体...

Qorvo QPD0007氮化镓射频晶体管是SiC高电子迁移率晶体管(HEMTs)上的单路径离散氮化镓晶体管，采用DFN封装。这些射频晶体管是单级的，无与伦比的晶体管，能够在+48V工作时输出20W的P(3dB)输出功率。QPD0007晶体管工作在直流到5GHz频率范围，在3.5GHz时提供73%的漏极效率。典型应用包括WCDMA/LTE、宏蜂窝基站、微蜂窝基站、通用、小蜂窝、有源天线和5G海量MIMO。

特性

直流至5GHz工作频率范围
48V工作漏极电压
最大输出功率(P(3dB))在3.6GHz

73% 3.5GHz时的最大漏极效率
19dB效率调谐回退增益在3.5GHz
4.5mm x 4mm DFN封装

应用程序

WCDMA / LTE
宏单元基站
微蜂窝基站
小细胞

有源天线
5 g大规模分布式天线
通用应用程序

应用笔记

GaN偏置电路设计指南

GaN器件通道温度、热阻和可靠性估计

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