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Qorvo QPD0010 GaN RF晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-09

摘要： Qorvo QPD0010氮化镓射频晶体管是不对称的双通道离散氮化镓在SiC高电子迁移率晶体管(HEMTs)中，采用DFN封装。这些射频晶体管是单级放大晶体管，在Doherty配置中，每条路径都能提供15W的输出功率。QPD0010晶体管工...

Qorvo QPD0010氮化镓射频晶体管是不对称的双通道离散氮化镓在SiC高电子迁移率晶体管(HEMTs)中，采用DFN封装。这些射频晶体管是单级放大晶体管，在Doherty配置中，每条路径都能提供15W的输出功率。QPD0010晶体管工作在2.5GHz到2.7GHz的频率范围，在3.5GHz提供15dB最大Doherty增益。典型的应用包括WCDMA/LTE、宏蜂窝基站、微蜂窝基站、小蜂窝、有源天线、5G海量MIMO和非对称Doherty应用。

特性

工作频率范围2.5GHz ~ 2.7GHz
48V工作漏极电压
最大Doherty峰值功率为3.5GHz

最大Doherty漏极效率为3.5GHz
3.5GHz时最大Doherty增益为15dB
7mm x 6.5mm DFN封装

应用程序

WCDMA / LTE
宏单元基站
微蜂窝基站
小细胞

有源天线
5 g大规模分布式天线
不对称Doherty应用程序

应用笔记

GaN偏置电路设计指南

GaN器件通道温度、热阻和可靠性估计

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