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Vishay / Siliconix Si6423ADQ P-Channel 20V MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-09

摘要： Vishay / Siliconix Si6423ADQ P-Channel 20V MOSFET采用tsop -8封装，提供-20V漏源极电压，20mJ单脉冲雪崩能量等级。Si6423ADQ MOSFET特性单一配置设计，无卤素，RoHS...

Vishay / Siliconix Si6423ADQ P-Channel 20V MOSFET采用tsop -8封装，提供-20V漏源极电压，20mJ单脉冲雪崩能量等级。Si6423ADQ MOSFET特性单一配置设计，无卤素，RoHS兼容，100% R(g)和ui测试。Vishay Si6423ADQ P-Channel 20V MOSFET是负载开关，电池开关和电源管理的理想选择。

特性

TrenchFET功率MOSFET
测试了100%的R(g)和ui
通过无铅认证

无卤
单一的配置
TSSOP-8包

应用程序

负荷开关
电池开关
电源管理

规范

漏源极电压-20 v (DS)
±8 v gate-source电压
-70A脉冲漏极电流
-20mJ单脉冲雪崩能量

5875 pf输入电容
540 pf输出电容
7.2欧姆最大栅极电阻
工作温度范围:-55°C ~ +150°C

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