Bourns P6SMB-Q暂态电压抑制二极管的介绍、特性、及应用
摘要:
Bourns P6SMB-Q瞬态电压抑制二极管封装在紧凑的DO-214AA (SMB)尺寸格式中,是浪涌和ESD保护应用的理想选择。P6SMB-Q二极管在-55°C到+150°C的温度范围内提供6.8V到250V的击穿电压。从0V到最小击穿...
Bourns P6SMB-Q瞬态电压抑制二极管封装在紧凑的DO-214AA (SMB)尺寸格式中,是浪涌和ESD保护应用的理想选择。P6SMB-Q二极管在-55°C到+150°C的温度范围内提供6.8V到250V的击穿电压。从0V到最小击穿电压,单向器件的典型快速响应时间小于1.0皮秒,双向器件的快速响应时间小于5.0皮秒。
特性
- 表面安装DO-214AA (SMB)包
- 无卤素,符合RoHS要求
- AEC-Q101兼容
- 单向或双向
- 火星科学实验室1
- ESD分类3B (HBM)
规范
- 6.8V至250V击穿电压
- 600 w功率损耗
- 3.5 v正向电压
- -55°C到+150°C的温度范围
- 注塑塑料外壳,UL94V-0
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