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罗姆半导体BSS84X HZG小信号MOSFET的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-08-09

摘要: ROHM半导体BSS84X HZG小信号MOSFET提供无铅超小型封装,具有出色的热传导暴露的漏极垫。BSS84X HZG小信号MOSFET具有-60V漏源极电压,±230mA连续漏极电流,1.0W功耗。BSS84X HZG是专为开关电路、...

ROHM半导体BSS84X HZG小信号MOSFET提供无铅超小型封装,具有出色的热传导暴露的漏极垫。BSS84X HZG小信号MOSFET具有-60V漏源极电压,±230mA连续漏极电流,1.0W功耗。BSS84X HZG是专为开关电路、高侧负载开关和继电器驱动应用而设计的。


ROHM BSS84X HZG小信号MOSFET可在DFN1010-3W包和AEC-Q101合格。


特性

  • 无铅超小型外露排水垫,用于极好的导热SMD塑料封装(1.0mm x 1.0mm x 0.4mm)
  • 自动光学焊接检测(AOI)侧翼可湿性
  • 镀锡100%可焊侧垫保证最小125μm
  • AEC-Q101合格
  • -4.5 v驱动

应用程序

  • 开关电路
  • 高端负荷开关
  • 继电器驱动程序

规范

  • -60V漏极源电压
  • 5.3欧姆最大静态漏极源on状态电阻
  • ±230mA连续漏极电流
  • 1.0 w的功率损耗

典型应用电路


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