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Vishay / Siliconix SiJA22DP N-Channel 25V MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-06

摘要： Vishay / Siliconix SiJA22DP n通道25V MOSFET采用PowerPAK SO-8L封装，提供25V(DS)漏源极电压，以及单一配置设计。SiJA22DP mosfet具有TrenchFET Gen IV功率，...

Vishay / Siliconix SiJA22DP n通道25V MOSFET采用PowerPAK SO-8L封装，提供25V(DS)漏源极电压，以及单一配置设计。SiJA22DP mosfet具有TrenchFETGen IV功率，调谐为最低的R(DS)到Q(oss) FOM，和100%的R(g)和ui测试。Vishay SiJA22DP n通道25V MOSFET是同步整流，高功率密度DC/DC，电池和负载开关，以及热插拔开关的理想选择。

特性

TrenchFETGen IV动力
调优最低的R(DS)到Q(oss)的FOM
测试了100%的R(g)和ui
Q(gd)/Q(gs)比率<1优化开关特性

应用程序

同步整流
高功率密度DC/DC
热插拔开关和OR-ing FET
电池与负载开关

规范

25 v (DS)漏源极电压
160A脉冲漏极电流
125mJ单脉冲雪崩能量
6500 pf输入电容
2250 pf输出电容

2欧姆门阻力
PowerPAK SO-8L包
单一的配置
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
48 w功率损耗

维

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