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东芝SSM6L56FE硅P / n沟道mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-06

摘要： 东芝SSM6L56FE硅P / n沟道mosfet是专为高速开关而设计的。SSM6L56FE mosfet具有1.5V驱动和低漏源通阻。特性1.5 v驱动漏源极低导通电阻Q1 n沟道:R (DS ) = 235欧姆(max) (@V (GS...

东芝SSM6L56FE硅P / n沟道mosfet是专为高速开关而设计的。SSM6L56FE mosfet具有1.5V驱动和低漏源通阻。

特性

1.5 v驱动
漏源极低导通电阻
Q1 n沟道:
- R (DS ) = 235欧姆(max) (@V (GS) = 4.5 v,I马(D) = 800)
- R (DS ) = 300欧姆(max) (@V (GS) = 2.5 v,I马(D) = 600)
- R (DS ) = 480欧姆(max) (@V (GS) = 1.8 V,I马(D) = 200)
- R (DS ) = 840欧姆(max) (@V (GS) = 1.5 v,I马(D) = 50)

Q2 p沟道:
- R (DS ) = 390欧姆(max) (@V (GS) = -4.5 v,I马(D) = -800)
- R (DS ) = 480欧姆(max) (@V (GS) = -2.5 v,I马(D) = -500)
- R (DS ) = 660欧姆(max) (@V (GS) = -1.8 v,I马(D) = -200)
- R (DS ) = 900欧姆(max) (@V (GS) = -1.5 v,I马(D) = -100)
- RDS(上)= 4000欧姆(max) (@V (GS) = -1.2 v,I马(D) = -10)

封装与内部电路

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