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东芝SSM6K51xNU硅n沟道mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-06

摘要： 东芝SSM6K51xNU硅n沟道mosfet是东芝在各种电路配置和封装中广泛的mosfet组合的一部分。该器件具有高速、高性能、低损耗、低导通电阻、小封装等特点。SSM6K51xNU是理想的电源管理开关和功能高速交换。它们有一个1.5V的驱...

东芝SSM6K51xNU硅n沟道mosfet是东芝在各种电路配置和封装中广泛的mosfet组合的一部分。该器件具有高速、高性能、低损耗、低导通电阻、小封装等特点。SSM6K51xNU是理想的电源管理开关和功能高速交换。它们有一个1.5V的驱动器，具有低漏源通阻。

特性

1.5 v驱动
漏源极低导通电阻
- R (DS(上))= 33 毫欧(max) (@V (GS) = 4.5 v)
- R (DS(上))= 45 毫欧(max) (@V (GS) = 2.5 v)
- R (DS ) = 74欧姆(max) (@V (GS) = 1.8 v)
- R (DS ) = 108欧姆(max) (@V (GS) = 1.5 v)

应用程序

电源管理交换机
高速开关

封装和引脚分配

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