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英飞凌技术IDFW80C65D1 650V硅功率二极管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-05

摘要： 英飞凌技术IDFW80C65D1 650V硅功率二极管是一个80A快速1开关发射极控制器件，采用TO-247高级隔离封装。硅功率二极管具有低正向电压、低反向恢复充电、低反向恢复电流的特点。这个IDFW80C65D1功率二极管提供2500V ...

英飞凌技术IDFW80C65D1 650V硅功率二极管是一个80A快速1开关发射极控制器件，采用TO-247高级隔离封装。硅功率二极管具有低正向电压、低反向恢复充电、低反向恢复电流的特点。这个IDFW80C65D1功率二极管提供2500V RMS电隔离电压和650V重复峰值反向电压。硅功率二极管工作在-40°C到175°C的温度范围内。此IDFW80C65D1功率二极管经过100%测试，隔离安装表面无铅电镀。典型的应用包括电机控制和驱动器，空调，通用驱动器(GPD)，和工业SMPS。

特性

关键参数的温度稳定特性
低正向电压(V(F))
低反向回收费(Q(rr))
低反向恢复电流(I(rrm))

100%测试过的隔离安装表面
Pb-free镀铅
通过无铅认证

规范

650V发射极控制技术
2500V(RMS)电隔离，50/60Hz, t = 1min
1.7V二极管最大正向电压

40µ最大反向漏电流
工作温度范围:-40°C ~ 175°C
存储温度范围为-55℃~ 150℃

应用程序

电机控制与驱动
空调

通用驱动器(GPD)
工业smp

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