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Vishay / Siliconix SiSS52DN N-Channel TrenchFET Gen V功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-05

摘要： Vishay / Siliconix SiSS52DN N-Channel TrenchFET Gen V Power MOSFET能够在非常低的R(DS(on))下实现更高的功率密度。该功率MOSFET提供30V V(DS)和非常低的RD...

Vishay / Siliconix SiSS52DN N-Channel TrenchFET Gen V Power MOSFET能够在非常低的R(DS(on))下实现更高的功率密度。该功率MOSFET提供30V V(DS)和非常低的RDS x Q(g)值(FOM)。SiSS52DN n通道MOSFET典型特征为162A I(D)和19.9nC Q(g.)This100% R(g)和未夹紧电感开关(ui)测试的MOSFET采用热增强紧密型PowerPAK 1212-8S封装，具有单一配置。典型的应用包括DC/DC转换器、负载点(POLs)、同步整流、电源和负载开关以及电池管理。

特性

TrenchFET 第V代功率MOSFET
非常低的R(DS) xq (g)品质值(FOM)
以非常低的R(DS(on))实现更高的功率密度

热增强紧密型PowerPAK 1212-8S包，单配置
测试了100%的R(g)和ui

应用程序

直流/直流转换器
Point-of-Loads(政客)
同步整流

电池管理
电源和负载开关

性能特点

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