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罗姆半导体RD3S100AAFRA N-Ch 190V 10A功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-05

摘要： ROHM半导体RD3S100AAFRA N-Ch 190V 10A功率MOSFET具有低导通电阻和快速开关速度。RD3S100AAFRA MOSFET可以很容易地设置并行使用。ROHM RD3S100AAFRA功率MOSFET是专为开关电源...

ROHM半导体RD3S100AAFRA N-Ch 190V 10A功率MOSFET具有低导通电阻和快速开关速度。RD3S100AAFRA MOSFET可以很容易地设置并行使用。ROHM RD3S100AAFRA功率MOSFET是专为开关电源应用设计的。

特性

低导通电阻
转换速度快
并行使用很容易

通过无铅认证
AEC-Q101合格

规范

190 V V (DSS)
182欧姆R (DS(上)(Max)。

±10I(D)
85 w P (D)

典型的应用程序

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